أعلنت شركة سامسونج اليوم عن تطويرها لأول ذاكرة عشوائية GDDR7 DRAM بسعة 24 جيجابت في العالم. وتستهدف هذه الذاكرة مراكز البيانات ومحطات العمل المخصصة للذكاء الاصطناعي، فضلاً عن المستخدمين النهائيين الذين قد يرغبون في إستخدامها في بطاقات الرسوميات وأجهزة الألعاب وأنظمة القيادة الذاتية.
تتمتع الذاكرة الجديدة بسعة مضاعفة مقارنةً بذاكرة GDDR7 DRAM بسعة 16 جيجابت التي تم الكشف عنها العام الماضي. تم تصنيع هذه الرقاقة بالجيل الخامس من تقنية 10 نانومتر، مما يحسن كثافة الخلايا بنسبة 50% مع الحفاظ على نفس حجم الرقاقة السابقة.
تصل سرعة الذاكرة إلى 42.5 جيجابت في الثانية، بزيادة قدرها 25% عن الإصدار السابق، وذلك بفضل تقنية التشكيل النبضي ذات السعة الثلاثية (PAM3). كما تم تحسين كفاءة استهلاك الطاقة بنسبة تزيد عن 30%، وفقًا لما صرحت به الشركة.
من المقرر بدء عملية إختبار واعتماد ذاكرة GDDR7 DRAM بسعة 24 جيجابت في الأنظمة الذكية من عملاء الشركة في مجال وحدات معالجة الرسومات خلال هذا العام، مع التخطيط لطرحها تجاريًا في أوائل العام 2025.